Sku: h102809
Categorías: Componentes Activos
Propiedades Del Producto
FET Tipo
N-canal
La tecnología
MOSFET (metal oxide)
Drenaje de la tensión de la fuente (Vdss)
55 V
Actual a 25°C - Continuo Drenaje (Id)
110 (Tc)
Voltaje de la unidad (max Rds, min Rds)
10 V
En la resistencia a diferentes Id Vgs (max)
8 mω @ 62A, 10V
Vgs(th) en diferentes Id (max)
4V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) en diferentes Vgs (max)
146 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Entrada de capacitancia (Ciss) en diferentes Vds (max)
3247 pF @ 25 V
FET función
-
Disipación de energía (max)
200 W (Tc)
Temperatura De Funcionamiento
-55°C ~ 175°C
| Aplicación | 1 |
|---|---|
| Tipo de | Regulador De Voltaje |
| Condición | Nuevo |
| Origen | China Continental |
| Temperatura De Funcionamiento | 1 |
| Número De Modelo | IRF3205PBF |
| Tensión De Alimentación | v |
| Paquete | A-220 |
| La Disipación De Potencia | w |
